молекулярно-пучковая эпитаксия

См. также в других словарях:

• Молекулярно-пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслон …   Википедия

• Молекулярно — пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

• молекулярно-пучковая эпитаксия кремния — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Молекулярно-лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

• Молекулярно — лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

• Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другой (от греч. επι на и ταξισ упорядоченность), т.е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Строго говоря, рост всех кристаллов можно назвать… …   Википедия

• Жидкофазная эпитаксия — Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского). Готовится шихта из… …   Википедия

• Газофазная эпитаксия — Газофазная эпитаксия  получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных… …   Википедия

• Пар-жидкость-кристалл — Эта статья содержит незавершённый перевод с иностранного языка. Вы можете помочь проекту, переведя её до конца. Если вы знаете, на каком языке написан фрагмент, укажите его в этом шаблоне …   Википедия

• МЛЭ — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

• Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы — Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (анг. Metalorganic chemical vapour deposition) метод получения материалов, в том числе эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения… …   Википедия